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采用陶瓷工艺制备高频MnZn功率铁氧体材料,研究了MoO₃添加对材料微结构和磁性能的影响。用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）表征材料结构,用B-H分析仪测试材料磁性能,并对材料功率损耗进行分离。结果表明,适量添加MoO₃可以有效改善材料的微观结构,提高致密度,提高材料饱和磁通密度和起始磁导率,降低功率损耗。功耗分离后发现,随着MoO₃添加量的增加,磁滞损耗比例下降,涡流损耗所占比例上升。最佳MoO₃添加量为0.01 wt%,获得低功耗的MnZn功率铁氧体,100℃、500k Hz、50m T条件下功耗为86 kW/m³,起始磁导率约为1928,25℃下的饱和磁通密度为513 mT。