作者: charles聂
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在手机设计中两个最耗电的部分就是基带处理器和射频前端。功率放大器(PA)消耗了射频前端中的绝大部分功率。实现低功耗的关键是使射频前端中的其他电路消耗尽可能少的功耗且不影响PA的工作。在目前所用的选择中,带解码器的GaAs开关吸纳的电流为600μA,但在典型的射频前端应用中,UltraCMOS SP7T开关只吸纳10μA的电流,因此,可以大幅降低射频前端的功耗,从而提高射频功率放大器的效率。目前,采用CMOS工艺制造射频功率放大器的公司包括:英飞凌、飞思卡尔、Silicon Labs、Peregrine等公司。利用InGaP工艺,实现功率放大器的低功耗和高效率InGaP HBT(异结双极晶体管)技术的很多优点让它非常适合高频应用。InGaP HBT采用GaAs制成,而GaAs是RF领域用于制造RF IC的最常用的底层材料。原因在于:1. GaAs的电子迁移率比作为CMOS衬底材料的硅要高大约6倍;2. GaAs衬底是半绝缘的,而CMOS中的衬底则是传导性的。电子活迁移率越高,器件的工作频率越高。半绝缘的GaAs衬底可以使IC上实现更好的信号绝缘,并采用损耗更低的无源元件。而如果衬底是传导性的话,就无法实现这一优势。在CMOS中,由于衬底具有较高的传导性,很难构建起功能型微波电路元件,例如高Q电感器和低损耗传导线等。这些困难虽然可以在一定程度上得到克服,但必须通过在IC装配中采用各种非标准的制程来能实现,而这会增加CMOS设备的制造成本。nGaP特别适合要求相当高功率输出的高频应用。InGaP工艺的改进让产量得到了提高,并带来了更高程度的集成,使芯片可以集成更多功能。这样既简化了系统设计,降低了原材料成本,也节省了板空间。有些InGaP PA也采用包含了CMOS控制电路的多芯片封装。如今,在接收端集成了PA和低噪音放大器(LNA)并结合了RF开关的前端WLAN模块已经可以采用精简型封装。例如,ANADIGICS公司提出的InGaP-Plus工艺可以在同一个InGaP芯片上集成双极晶体管和场效应晶体管。这一技术正被用于尺寸和PAE(功率增加效率)有所改进的新型CDMA和WCDMA功率放大器。RF CMOS PA与GaAs PA的比较当前,大部分手机PA都是采用GaAs和InGaP HBT技术,只有一小部分采用的是RF CMOS工艺制造。与GaAs器件相比,RF CMOS技术能够实现更高的集成度,而且成本也更低。然而,并非所有消费电子产品的理想选择。例如无线网络和手机市场就被GaAs PA所统治,因为它可以支持高频率和高功率应用,而且效率很高。另一方面,RF CMOS PA则在蓝牙和ZigBee应用领域占据主导地位,因为它一般运行功率更低,而且性能要求没有那么苛刻。
各位兄弟大家好!我有一个问题请教一下,UI型低频变压器窗口载面积怎么计算,是计算一边,还是两边加在一起,谢谢
MOSFET,它是一种可以常使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管,MOS管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好;制造工艺简单、辐射强,因而通常被用于放大电路或开关电路。确定MOSFET的主要特性是其漏源电压VDS,或“漏源击穿电压”,这是在栅很短路到源极,漏极电流在250μA情况下,MOSFET所能承受的确保不损坏的高电压。VDS也被称为“25℃下的绝 对 高电压”,但是定要记住,这个绝 对电压与温度有关,而且数据表里通常有一个“VDS温度系数”。在高温下,温度系数会显著改变击穿电压。对正确选择MOSFET同样重要的是理解在导通过程中栅源电压VGS的作用。总的来说:1、MOSFET串联等效的栅极和源极电阻的分压作用和栅极电容的影响,造成晶胞单元的VGS的电压不一致,从而导致各个晶胞单元电流不一致,在开通和关断的过程中形成局部过热损坏。2、快开通和关断MOSFET,可以减小局部能量的聚集,防晶胞单元局部的过热而损坏。开通速度太慢,距离栅极管脚较近的区域局部容易产生局部过热损坏,关断速度太慢,距离栅极管脚较远的区域容易产生局部过热损坏。3、MOSFET在开通的过程中,RDS(ON)从负温度系数区域向正温度系数区域转化;在其关断的过程中,RDS(ON)从正温度系数区域向负温度系数区域过渡。
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